سایر قابلیتها:حافظه بافر DRAM دارای فناوری SLC Caching دارای فناوری اصلاح ارور LDPC-ECC ساختار حافظه ۳D NAND Flash میانگین زمان بین خرابیها: ۲ میلیون ساعت دمای کارکرد ۰ تا ۷۰ درجه سانتیگراد
کنترل کننده:۳D NAND
ظرفیت:۲۴۰ گیگابایت
حداکثر میزان مقاومت در برابر شوک: ۱۵۰۰G/۰.۵ms